今年早些時候，我們了解到三星計劃開發(fā)業(yè)界首個160層或更高級別NAND閃存芯片的雄心壯志，但當時沒有足夠的信息來確切說明該公司的第七代V-NAND閃存將達到多少層。有?，F在，根據The Bell引用行業(yè)人士的新報告，三星已經為下一代解決方案選擇了176層配置。

有趣的是，據報道，三星的目標是其第七代V-NAND(3D NAND)閃存芯片具有多達192層，但由于未解釋的原因，該公司最終決定減少176層。無論如何，至少根據最新消息，三星計劃在2021年4月將第七代V-NAND投入量產。

這與最近關于三星在平澤芯片制造廠的擴張計劃的另一份報告相吻合。它聲稱三星希望在平澤市投資2號線，以提高存儲芯片的生產能力。三星最初表示希望從2021年下半年開始在2號生產線大規(guī)模生產V-NAND閃存芯片，但根據最近的報告，該公司可能能夠比最初計劃的更早開始批量生產。

三星仍然是全球第一大NAND閃存制造商，但競爭仍在繼續(xù)。SK Hynix現在也在研究176層NAND，英特爾在今年早些時候宣布了其144層NAND閃存解決方案。