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眾所周知，臺(tái)積電目前已經(jīng)可以生產(chǎn)5nm工藝制程的芯片，并且正在研發(fā)3nm和2nm工藝,而今日有媒體報(bào)道稱臺(tái)積電2nm工藝研發(fā)進(jìn)展超預(yù)期,或?qū)⒉捎肎AA(采用環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù)，具體情況如何快和Xda小編一起看看吧。

來(lái)自Digitimes的最新報(bào)道稱，臺(tái)積電2nm GAA工藝研發(fā)進(jìn)度提前，目前已經(jīng)結(jié)束了路徑探索階段。

GAA即環(huán)繞柵極晶體管，旨在取代走到盡頭的FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。FinFET由華人科學(xué)家胡正明團(tuán)隊(duì)研制，首發(fā)于45nm，目前已經(jīng)推進(jìn)到5nm。不過(guò)，據(jù)說(shuō)臺(tái)積電的3nm依然延續(xù)FinFET，但三星則會(huì)提前于3nm導(dǎo)入GAA技術(shù)。

同多次提及的3nm工藝相比，臺(tái)積電目前并未公布太多2nm工藝的消息，在此前的報(bào)道中，媒體提及的與臺(tái)積電2nm工藝相關(guān)的信息，出現(xiàn)過(guò)兩次，均是在8月底。其一是臺(tái)積電已在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，將建在總部所在的新竹科學(xué)園區(qū)，臺(tái)積電負(fù)責(zé)營(yíng)運(yùn)組織的資深副總經(jīng)理秦永沛，透露他們已經(jīng)獲得了建廠所需的土地。第二次是在上月底的臺(tái)積電2020年度全球技術(shù)論壇上，他們透露正在同一家主要客戶緊密合作，加快2nm工藝的研發(fā)進(jìn)展，相關(guān)的投資也在推進(jìn)。