三星官方宣布已成功完成基于8nm工藝的最新射頻技術(shù)開發(fā)。據(jù)三星稱，這種先進(jìn)的工藝技術(shù)將為 5G 通信提供“單芯片解決方案”。它專為支持多通道和多天線芯片設(shè)計而設(shè)計。三星的 8nm 5G RF 解決方案將把公司在 5G 半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位從 Sub-6GHz 頻段擴(kuò)展到毫米波應(yīng)用。

8nm 5G射頻解決方案

三星的 8nm 5G RF 解決方案是目前廣泛使用的 RF 相關(guān)解決方案的最新補充。三星擁有多種采用 28nm 和 14nm 工藝的射頻解決方案。2017年以來，三星已經(jīng)為高端智能手機(jī)出貨了超過5億顆移動終端射頻芯片。

“通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造，我們加強(qiáng)了我們的下一代無線通信產(chǎn)品，”……“隨著5G毫米波的擴(kuò)展，三星的8nm射頻將成為客戶很好的解決方案。尤其是那些希望在緊湊型移動終端上獲得更長電池壽命和出色信號質(zhì)量的用戶。”

隨著向高級節(jié)點的不斷擴(kuò)展，數(shù)字電路得到了顯著的改進(jìn)。這些改進(jìn)體現(xiàn)在性能、功耗和面積 (PPA) 方面。然而，模擬/射頻模塊的開發(fā)已經(jīng)停滯了一段時間。這主要是由于寄生效應(yīng)降低(例如由于窄線寬導(dǎo)致的高電阻)。因此，大多數(shù)通信芯片往往會經(jīng)歷射頻特性的劣化。接收頻率放大性能通常會下降。此外，隨著時間的推移，它會消耗更多的電力。這些都是制造商需要克服的挑戰(zhàn)。

為了克服模擬/射頻擴(kuò)展的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種獨特的 8 納米射頻專用架構(gòu)，稱為 RFextremeFET (RFeFET)。該解決方案具有明顯更好的射頻特性。它還可以降低功耗。相對于 14 納米 RF，三星的 RFeFET 補充了數(shù)字 PPA 擴(kuò)展。同時還原模擬/射頻擴(kuò)展，實現(xiàn)高性能5G平臺。

三星在新聞稿中寫道，其工藝優(yōu)化可最大限度地提高通道移動性，同時最大限度地減少寄生效應(yīng)。RFeFET 性能有顯著改善。此外，它大大減少了射頻芯片中的晶體管總數(shù)以及模擬/射頻塊的面積。