三星電子和臺積電目前正計劃進行3nm制程技術的研發(fā)。據(jù)報道，在IEEE國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上，三星工程師分享了即將推出的3nm GAE MBCFET 芯片的制造細節(jié) 。

GAAFET晶體管(柵極全環(huán)場效應晶體管)在結構上有兩種形式，它們是當前FinFET的升級版本。三星表示，傳統(tǒng)的GAAFET工藝使用三層納米線構造晶體管，并且柵極相對較薄。此外，三星MBCFET芯片工藝使用納米片構造晶體管。目前，三星已經(jīng)為MBCFET注冊了商標。三星表示，這兩種方法都可以達到3nm，但這取決于具體的設計。

三星MBCFET芯片

早在1988年就提出了第一個GAAFET晶體管的想法。這項技術允許設計人員通過調整晶體管通道的寬度來精確地控制性能和功耗。較寬的材料有助于在高功率下實現(xiàn)更高的性能;雖然較薄的材料可以降低功耗，但這會影響性能。

三星在2019年展示了3GAE流程的原理。該公司表示，與7LPP技術相比，3GAE可以將性能提高30%。它還實現(xiàn)了50%的功耗降低和80%的晶體管密度提高。