三星宣布已開發(fā)出業(yè)界首個512GB內(nèi)存模塊，該模塊使用其最新的DDR5存儲設(shè)備，后者使用高k電介質(zhì)作為絕緣體。新的DIMM專為使用DDR5內(nèi)存的下一代服務(wù)器而設(shè)計，包括由AMD的Epyc'Genoa'和英特爾的Xeon可擴展'Sapphire Rapids'處理器提供支持的服務(wù)器。

三星的512GB DDR5注冊DIMM(RDIMM)內(nèi)存模塊使用基于八個16Gb DRAM設(shè)備的32個16GB堆棧。8-Hi堆棧使用硅通孔互連來確保低功耗和高質(zhì)量信號。由于某種原因，三星沒有公開其RDIMM支持的最大數(shù)據(jù)傳輸速率，這并不是完全出乎意料的事情，因為該公司無法公開下一代服務(wù)器平臺的規(guī)格。

三星512GB RDIMM的有趣之處在于，它使用了該公司最新的16 Gb DDR5存儲設(shè)備，該設(shè)備用原來用于邏輯門的高k材料代替了傳統(tǒng)的絕緣體，以降低泄漏電流。這并不是三星首次將HKMG技術(shù)用于內(nèi)存，因為早在2018年，它就開始將HKMG技術(shù)用于高速GDDR6設(shè)備。從理論上講，HKMG的使用也可以幫助三星的DDR5設(shè)備達到更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。

三星表示，由于DDR5的電壓降低，HKMG絕緣層和其他增強功能，其DDR5器件的功耗比以前的器件降低了13%，這對于針對服務(wù)器的512GB RDIMM尤其重要。